独国CreaTec Fischer & Co. GmbH社（クレアテック社）との間で日本市場における販売総代理店契約を締結し、クレアテック社製品の販売を開始することになりました。

              
                            MBE                                                            LT-STM

クレアテック社はマックスプランク固体物理学研究所員であったアルブレヒト・フィシャー（Albrecht Fischer）氏によって１９９２年に設立された超高真空（UHV）装置、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置、低温走査トンネル顕微鏡（ＬＴ-ＳＴＭ）装置、真空用コンポーネントの専門メーカーです。
フィシャー氏は３０年以上のＵＨＶ装置の設計と製造技術に関する豊富な経験から、クレアテック社を多様なユーザーニーズに対応できる先端技術メーカーに育成し、既に３０台以上のカスタム仕様によるＭＢＥ装置を納入してきました。
また２０００年には ５Ｋから３００Ｋの温度範囲で操作ができるＬＴ-ＳＴＭ装置を開発、さらに最新装置では既存のＬＴ-ＳＴＭ装置にＬＴ-ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を組み合わせ、低温磁場の下でＳＴＭ装置を操作しながら原子間力測定を可能にする手法を開発しました。小型で、使い易いクレアテック社のＬＴ-ＳＴＭ装置は高精度の測定と高い再現性を持つユニークな装置として高く評価され、既に２０台以上の納入実績を上げております。

クレアテック社製品の紹介を行いながらユーザーニーズを調査して、ユーザーの高度なカスタム仕様に対応できる装置の開発、製造、販売を支援できる営業体制を日本に構築しています。

備考：
製品カタログ、仕様はクレアテック社のURL(http://www.createc.de/)からダウンロードしていただけます。

従来ＭＢＥ装置の各種セルのルツボ交換はセルをチャンバーから取り外して行っており、セル装着後改めてチャンバーのベーキングを行い超高真空にする必要がありました。本ルツボ交換搬送機構は超高真空の状態でルツボ交換が出来る画期的な機構です。ロードロック室に保管された材料を充填したルツボを手動搬送機構によりルツボ交換を行うことが出来ます。これにより超高真空を破ることなく効率的にＭＢＥ装置を稼動することが出来ます。
クレアテック社は本機構をはじめ、各ユーザーの要求仕様に適合したＭＢＥ装置を提供しております。 

純粋シリコンの融点は1410 ℃でシリコンのエピタキシャル成長を実施するには融点以上の温度で蒸発源セルを加熱する必要があります。しかし高温状態のシリコンはセルを構成する材料と反応し易く、ルツボやフィラメントを破壊します。このため一般的な抵抗加熱セルはドーピング用として用いられ、シリコンのエピタキシャル成長には電子ビーム加熱セルが使用されております。しかしながら、電子ビーム加熱セルは温度制御が容易ではなく、精密なエピタキシャル成長が困難です。（表面の平坦性や膜厚の制御性）
ＴＵＢＯのルツボは二重構造設計で外側のルツボはタンタル製（１０ｃｃ）、内側のルツボはタングステン製（２ｃｃ）でシリコンは内側のルツボに充填します。
シリコン用ＴＵＢＯは精度良く温度制御しながら過熱され、1500℃で0.9nm/分, 1600℃で1.4nm/分,1700℃で6.6nm/分のエピタキシャル成長率を得ており、長時間安定な動作が可能です。（シリコン用ＴＵＢＯはＰＤＩベルリンとの共同開発で現在特許出願中です）