シリコン対応高温蒸発セル「ＴＵＢＯ」

純粋シリコンの融点は1410 ℃でシリコンのエピタキシャル成長を実施するには融点以上の温度で蒸発源セルを加熱する必要があります。しかし高温状態のシリコンはセルを構成する材料と反応し易く、ルツボやフィラメントを破壊します。このため一般的な抵抗加熱セルはドーピング用として用いられ、シリコンのエピタキシャル成長には電子ビーム加熱セルが使用されております。しかしながら、電子ビーム加熱セルは温度制御が容易ではなく、精密なエピタキシャル成長が困難です。（表面の平坦性や膜厚の制御性）
ＴＵＢＯのルツボは二重構造設計で外側のルツボはタンタル製（１０ｃｃ）、内側のルツボはタングステン製（２ｃｃ）でシリコンは内側のルツボに充填します。
シリコン用ＴＵＢＯは精度良く温度制御しながら過熱され、1500℃で0.9nm/分, 1600℃で1.4nm/分,1700℃で6.6nm/分のエピタキシャル成長率を得ており、長時間安定な動作が可能です。（シリコン用ＴＵＢＯはＰＤＩベルリンとの共同開発で現在特許出願中です）